Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Математика, химия, физика arrow ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ. АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ МЕТОДАМИ АТОМНОЙ ФИЗИКИ

ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ. АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ МЕТОДАМИ АТОМНОЙ ФИЗИКИ

СТРОЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ Кристаллическая структура поверхности Основные понятия кристаллографии Структура идеальной поверхностиОбратная двумерная решетка Структура реальной поверхности Описание кристаллической структуры поверхности Электронная структура поверхности Поверхностные состояния Распределение поверхностных состоянийВопросы для самопроверки ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ДИАГНОСТИКИ ПОВЕРХНОСТИ Вакуум и сверхвысокий вакуум Чистота и «динамическая чистота» поверхности Важнейшие конструктивные узлы аналитических установок Электронная и ионная оптика Электронные и ионные пушки Источники рентгеновских квантов и фотонов Энергоанализаторы Масс-анализаторы Детекторы заряженных частиц и фотоновМикроканалъная пластинаПЗС матрицаВопросы для самопроверки ЯВЛЕНИЯ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ Физические принципы и классификация методов анализа поверхности Электронная эмиссия (ЭЭ) Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) Ионно-электронная эмиссия (ИЭЭ) Фотоэлектронная эмиссия (ФЭЭ) Полевая электронная эмиссия (ПЭЭ) Термоэлектронная эмиссия (ТЭЭ) Ионная эмиссия (ИЭ) Ионное распыление и вторичная ионная эмиссия Полевая ионная эмиссия (ПИЭ)Полевая ионизация (ПИ) вблизи поверхности металла Термоионная эмиссия Термодесорбция (ТД) Поверхностная ионизация (ПИ) Нетермическая десорбцияЭлектронно-стимулированная десорбция (ЭСД)Механизмы ЭСД, основанные на возбуждении электронной системы адсорбатаФотодесорбцияДесорбция ионным ударомВопросы для самопроверки ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДОВ ИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТИ Элементы теории атомных столкновений Сечение столкновений Сечение рассеяния и прицельный параметр Упругие столкновения Элементы теории прохождения ускоренных частиц через вещество Элементы теории ионного распыления Классификация механизмов распыления Теория распыления путем каскадов атомных столкновенийКоэффициент распыленияЭнергетические и угловые распределения распыленных атомов в ЛКТР Модели теплового пика, горячего пятна и ударных волнЭРВА в режиме тепловых пиков Механизмы распыления за счет электронных процессов и химических реакций Особенности распыления многокомпонентных мишеней Моделирование на ЭВМ процессов распыления Элементы теории ионизации и возбуждения атомов в ионной спектроскопии О классификации теоретических моделей ионообразования Микропроцессы, ответственные за ионообразованиеМикропроцессы в области А внутри твердого тела (вблизи поверхности)Микропроцессы в области Б (на поверхности)Взаимодействие атома с поверхностью и микропроцессы в области В (приповерхностная область вакуума) Модели ионизации вторичных атомов в условиях распыления за счет каскадов атомных столкновенийУчет возмущений поверхности Модель разрыва связей Термодинамическое описание процессов ионизации и возбужденияВопросы для самопроверки ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДОВ ЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТИ Глубина выхода электронов и исследуемый объем вещества Сечение неупругих электрон-электронных столкновений Сечение ударной электронной ионизации Плазмоны Средняя длина свободного пробега электронов Оже-процесс и процесс эмиссии рентгеновского кванта Пробеги первичных электронов в твердых телах Рентгеновское излучение Тормозное излучение Характеристическое рентгеновское излучение Вероятности процессов, ширины атомных уровней и времена жизни Особенности детектируемого энергетического спектра электронов при разных факторах возбужденияВопросы для самопроверки ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДОВ СТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА ПОВЕРХНОСТИ Дифракция Дифракция электронов Построение Эвальда Тепловые колебания решетки и фактор Дебая-Валлера Сканирующая зондовая микроскопияВопросы для самопроверкиЗадачиЧасто использованные обозначения и аббревиатуры
 
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
РЕЗЮМЕ Следующая >
 
Популярные страницы