Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow БЖД arrow НАДЕЖНОСТЬ ТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ И ТЕХНОГЕННЫЙ РИСК
Посмотреть оригинал

Модели надежности тонкопленочных конденсаторов

Рассмотрим тонкопленочные конденсаторы с алюминиевыми электродами и диэлектриком между ними на основе алюмосиликатного и боросиликатного стекла (АСС и БСС).

Динамическая модель. Условия испытаний: напряжение 10—15 В, диапазон температур 423—523 К. Величина относительного ухода емкости

са)

xc(t) = —^~ измерялась при помощи моста МЛЕ-1. Воспользуемся дан- и

ными измерений, представленными на рис. 4.14 и 4.15. Исходная емкость тонкопленочного конденсатора

Относительные уходы (усредненные) емкости конденсаторов при испытаниях на долговечность для АСС

Рис. 4.14. Относительные уходы (усредненные) емкости конденсаторов при испытаниях на долговечность для АСС

Относительные уходы (усредненные) емкости конденсаторов при испытаниях на долговечность для БСС

Рис. 4.15. Относительные уходы (усредненные) емкости конденсаторов при испытаниях на долговечность для БСС

Время, ч

При d° <Ь°У динамическая модель прогнозирования надежности xc(t) имеет вид

В предположении фронтальной диффузии из металлической обкладки в материал диэлектрика наблюдается убыль емкости, так как это эквивалентно увеличению d(t) по закону

где Фc(t) — оператор диффузии.

Эмпирическая модель прогнозирования надежности тонкопленочных конденсаторов по относительному изменению xc(t) во времени имеет вид

Статистическая модель.

Воспользовавшись графиками рис. 4.14, 4.15 получим упрощенные статистические модели для оценки вероятности пробоя Pz тонкопленочных конденсаторов.

Используя экспериментальные данные (см. рис. 4.14, 4.15), при S = = 0,1 см2, а - 10 нм, С0= 10-8, N = 3 имеем соответствующие упрощенные статистические модели для оценки вероятности пробоя:

Экспериментальные временные зависимости частости Р* пробоев конденсаторов представлены на рис. 4.16 и 4.17.

Экспериментальные временные зависимости частости Р* пробоев конденсаторов с диэлектриком из БСС при Т = 423 К

Рис. 4.16. Экспериментальные временные зависимости частости Р* пробоев конденсаторов с диэлектриком из БСС при Т = 423 К

Экспериментальные временные зависимости частости Р* пробоев конденсаторов с диэлектриком из БСС при Т = 473К

Рис. 4.17. Экспериментальные временные зависимости частости Р* пробоев конденсаторов с диэлектриком из БСС при Т = 473К

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Предыдущая   СОДЕРЖАНИЕ   Следующая >
 

Популярные страницы