Пример оценки интенсивности отказов микросхемы с учетом теплового моделирования

Результаты сравнительной оценки надежности микросхемы SP8855D1G HCAR, используемой в аппаратуре группы 5.1 (космическая аппаратура), по критерию интенсивности отказов для температуры окружающей среды

+50°С с учетом теплоного моделирования 2) и без него {) с использованием справочных данных по коэффициентам помещены в табл. 11.2, где коэффициенты имеют следующий смысл: kTучитывает температуру эксплуатации; knp уровень военной приемки; k3 учитывает, что блок относится к бортовой аппаратуре, а X- — базовая интенсивность отказов.

Таблица 11.2

Значения коэффициентов модели и результаты оценки интенсивности отказов микросхемы SP8855D1G HCAR

Базовая интенсивность отказов

Значение

коэффициентов

моделей

Интенсивность

отказов

k-г

*пр

Л, • 107, 1 /ч

V 107, 1/ч

kn

kn

Хб ? 107, 1/ч = 2

7,14

-

1

1.000

-14,28

-

-

14,24

1

1.000

-

= 28,48100

Определим алгебраические модели интенсивностей отказов как

Нетрудно сообразить, что проигрыш в надежности с учетом перегрева (см. рис. 11.13) определяется из соотношения Х2/^ = ^п/^т = 14,24/7,14 = = 1,994398 « 2. Таким образом, в результате 27-градусного перегрева согласно результатам теплового моделирования интенсивность отказов увеличивается почти в два раза. Этот же вывод качественно справедлив и для ЭРИ, которые могут находиться в зоне перегретой микросхемы, т.е. для резисторов, транзисторов и т.д., установленных на плату методом высо- конлотного монтажа. Потребуется проведение дополнительного теоретического анализа их надежности.

 
Посмотреть оригинал
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ   ОРИГИНАЛ     След >