Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Математика, химия, физика arrow ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Посмотреть оригинал

Энергии ионизации примесей в Si, Ge и GaAs

Примесь

Группа

Тип

Энергия ионизации, эВ

Si

Ge

GaAs

Ссылка

В

III

Акцептор

0,045

0,010

-

Ml

А1

III

Акцептор

0,067

0,011

-

m

Ga

III

Акцептор

0,071

0,011

Ml

In

III

Акцептор

0,155

0,012

-

Ml

р

V

Донор

0,045

0,013

Ml

As

V

Донор

0,054

0,014

-

Ml

Sb

V

Донор

0,043

0,010

-

Ml

Bi

V

Донор

0,071

0,013

Ml

Si

IV

Донор

-

-

0,002

[7]

Sn

IV

Донор

-

-

< 0,005

|7|

Sc

VI

Донор

0,005

i6i

Те

VI

Донор

-

-

0,003

lei

Ge

IV

Донор

-

-

< 0,005

171

Be

II

Акцептор

-

0,028

Ю1

Mg

II

Акцептор

-

-

  • 0,028
  • 0,0125

[6] 171

Zn

II

Акцептор

-

-

0,024

171

Cd

II

Акцептор

0,021

171

Греческий алфавит

A, a

Альфа

Н, п

Эта

N, v

Ню

Тд

Тау

в,р

Бэта

0, 0(0)

Тэта

м

Кеи

Ф, <р

Фи

Г.У

Гамма

I,i

Йота

0,0

Омикрон

X.Z

Хи

A, 6

Дельта

К, к

Каппа

П, л

Пи

Г, и

Ипсилон

E, e

Эпсилон

АД

Ламбда

Р.Р

Ро

Ф, у(ф)

Пси

z,C

Дзэта

М,р

Мю

2,0

Сигма

О, о)

Омега

 
Посмотреть оригинал
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Предыдущая   СОДЕРЖАНИЕ
 

Популярные страницы