Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Информатика arrow Архитектура ЭВМ и систем

Другие типы постоянной памяти

Энергонезависимая память с произвольным доступом (Non-Volatile Random Access Memory – NVRAM). К этому классу относится память, обладающая способностью обычным шинным циклом микросхемы изменить информацию не только во всей ее области или блоке, но и в отдельной ячейке. Флэш-память к этому классу относить нельзя, поскольку изменение информации в этой памяти осуществляется специальной программной процедурой. Истинно произвольный доступ обеспечивает ферроэлектрическая память (Ferroelectric RAM – FRAM). Это энергонезависимая память, операции записи и чтения в которой осуществляются как в обычных микросхемах статической памяти. При ее изготовлении используется железо. Ячейки FRAM по структуре напоминают DRAM, однако значение бита данных определяется направлением поляризации кристаллов (а не зарядом конденсатора, который нужно поддерживать регенерацией). Запись производится без предварительного стирания данных. FRAM-память используется в портативных системах класса PDA (Personal Digital Assistants – персональный цифровой ассистент). В настоящее время выпускаются микросхемы емкостью от 4 до 256 Кбит с параллельным интерфейсом (как SRAM) и временем доступа 70–120 нс, а также с последовательным интерфейсом 12С [2]. Кроме массивов памяти FRAM используется в специальных энергонезависимых регистрах. Выпускаемые микросхемы FRAM имеют интерфейс КМОП с питанием на 2,7 и 5 В. Гарантируется до 1010 циклов перезаписи.

Флэш-память. Этот тип энергонезависимой памяти в последнее время получил широкое распространение и заслуживает отдельного рассмотрения.

 
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Предыдущая   СОДЕРЖАНИЕ   Следующая >
 

Популярные страницы