Флэш-память

Начальные сведения

Флэш-память можно рассматривать как логическое развитие постоянной памяти, т.е. памяти, основным режимом работы которой является режим считывания. Ее появление обусловлено стремлением разработчиков создать энергонезависимую память со свойствами ОЗУ. Флэш-память, как и память с электрическим стиранием (EPROM, EEPROM), относится к классу энергонезависимой перезаписываемой памяти (Non-Volatile Read-Write Memory – NVRWM), однако отличается от нее следующими характеристиками:

  • более высокой скоростью записи. Дело в том, что флэш-память имеет блочную структуру и позволяет стирать отдельные блоки. При изменении хотя бы одного байта в буфер считывается весь блок, где содержится подлежащий изменению байт, стирается содержимое блока, изменяется значение байта в буфере, после чего производится запись измененного в буфере блока. Такая технология снижает скорость записи небольших объемов данных в произвольные области памяти, однако значительно увеличивает быстродействие при последовательной записи данных большими порциями;
  • более низкой себестоимостью производства благодаря простой организации памяти.

Флэш-память разработана компанией Toshiba в 1984 г., а в следующем году было начато производство 256-Кбитных микросхем в промышленных масштабах. Название "Flash" дано компанией Toshiba и, по-видимому, связано с высокой скоростью стирания (in a flash – в один миг, в мгновение ока), хотя существуют и другие версии происхождения названия. Позднее, в 1988 г., компания Intel, считающаяся пионером в этой области, разработала собственный вариант флэш- памяти.

 
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ     След >