ОСНОВЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

ПРОИЗВОДСТВО КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНЭлектронный кремнийВыращивание монокристаллического кремния по методу ЧохральскогоМонокристаллический кремнийНаправленная кристаллизацияТеория роста кристаллаУстановка для выращивания монокристаллического кремнияПримеси и дефекты в монокристаллическом кремнииОбработка кремниевых пластинМеханическая обработкаТравлениеПолированиеГеттерированиеТермические напряженияОКСИДИРОВАНИЕ КРЕМНИЯМодель оксидирования кремнияРост тонкого слоя оксидаВлияние ориентации на скоростьМетоды оксидирования кремнияПодготовка подложек кремнияОксидирование кремния в сухом и влажном кислородеОксидирование кремния при повышенном давленииСвойства оксидных плёнокМаскирующие свойства SiC>2Заряд в SiChНапряжение в SiC>2Перераспределение легирующих примесей на границе раздела фазОксидирование поликристаллического кремнияДефекты, возникающие при оксидировании кремнияВыводы и перспективы развитияДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫМодели диффузииОдномерное уравнение диффузии ФикаПостоянные коэффициенты диффузииКонцентрационно-зависимые коэффициенты диффузииТемпературная зависимость коэффициента диффузииАтомные механизмы диффузииМетоды проведения диффузииИмпульсный методРадиационно-стимулированная диффузияВыводы и перспективы развитияЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫПроцесс литографииШаблоныПроцесс переноса изображенияРезистыОтклонения размеров элементов топологииОптическая литография (фотолитография)Методы оптической литографииОптические резистыДифракцияФункция модуляции передачиСтоячие волныЭлектронно-лучевая литографияПроекционная электронная литографияРентгеновская литографияСУХОЕ ТРАВЛЕНИЕМетоды плазменного травленияИонно-плазменное и ионно-лучевое травлениеПлазменное травлениеРадикальное травлениеРеактивное ионно-плазменное иФакторы, определяющие скорость и селективность травленияКонтроль профиля травления края элементаПобочные эффекты травленияВыводыИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕИонно-лучевые установки имплантацииХарактеристики имплантированных слоевПробеги ионовОбразование радиационных дефектовОтжиг легированных структурИзохорный отжигБыстрый отжигГеттерированиеЭффекты ионной имплантацииСБОРКА И ГЕРМЕТИЗАЦИЯМонтаж кристалловСоединение эвтектикойСоединение полимерным клеемСоединения проволокойАвтоматизированное соединение на ленточном носителеСборка методом перевернутого кристаллаПроизводства корпусовКерамические корпусаКорпуса на основе тугоплавкой керамикиКорпуса на основе тугоплавкой керамики с герметизацией стекломКорпуса из пластмассыГерметизацияОчистка поверхности кристаллаГерметизация крышки корпусаТенденции развития методов сборки и герметизацииСиликоновые клеи-герметикиТехнологические особенностиНАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНЫМ ВЫПАРИВАНИЕМФизические характеристики процессаИсточники выпариванияВыпаривание соединенийТолщина покрытияНАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМИонно-плазменное нанесениеСтруктура катода установки для ионно-плазменного нанесенияДиодные системы нанесенииВЧ-диодные системы нанесенияТриодные системы нанесенияМагнетронные системы нанесенияНанесение ионным осаждениемНанесение полимерных покрытий полимеризацией в плазмеНанесение ионным перемешиваниемЛазерно-имплантационный метод нанесенияИонно-лучевые методы нанесенияНАНЕСЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОГАЗОВОЙ СМЕСИПроцесс осаждения оксида и нитрида кремнияХимические реакцииОборудованиеБезопасностьПоликремнийЛегирование поликремнияОксидирование поликремнияСвойст ва поликрс.мнияОксид кремнияМетоды осажденияПараметры процесса осажденияВоспроизведение рельефа подложкиСвойства плёнок оксида кремнияНитрил кремнияСвойства нитрида кремнияПлазмохимическое осаждениеДругие материалыПерспективы развитияЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВЭпитаксия из парогазовой фазыХимическая кинетика и процесс массопереносаЛегирование в процессе эпитаксииТехнологическое оборудованиеЭпитаксиальные дефектыМеханизм роста эпитаксиального слояМолекулярно-лучевая эпитаксияУстановка молекулярно-лучевой эпитаксииИзмерение параметров эпитаксиальных структурКонтроль толщины слояОценка уровня легированияМЕТАЛЛИЗАЦИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИСМетоды осажденияКонтроль толщины покрытияТрудности, возникающие при металлизацииЗащита от коррозии и образования контактовУстановка «Отжиг ТМУстановка «ПЛАЗМА ФУстановка термического испарения «МВУ ТМ - ТИС»Установка «ИЗОФАЗ ТМ - 200»Установка «Магна ТМ-200»Установка «ИЗОТРОН ТМ»Установка с групповой обработкой подложек «Эпи ЕТМ»
 
  РЕЗЮМЕ   След >