Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Техника arrow ОСНОВЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Краткий курс лекций по дисциплине
«ОСНОВЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ»


Ионно-лучевые методы нанесения Корпуса на основе тугоплавкой керамики с герметизацией стеклом НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНЫМ ВЫПАРИВАНИЕМ Резисты Подготовка подложек кремния Силиконовые клеи-герметики Безопасность Молекулярно-лучевая эпитаксия Выращивание монокристаллического кремния по методу Чохральского Постоянные коэффициенты диффузии Трудности, возникающие при металлизации Монокристаллический кремний Установка «ИЗОФАЗ ТМ - 200» СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ Побочные эффекты травления Методы осаждения Факторы, определяющие скорость и селективность травления Отжиг легированных структур НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ Очистка поверхности кристалла Ионно-лучевые установки имплантации Рост тонкого слоя оксида Геттерирование Эпитаксиальные дефекты Свойства нитрида кремния Одномерное уравнение диффузии Фика Установка «ПЛАЗМА Ф Напряжение в SiC>2 Заряд в SiCh Модель оксидирования кремния Герметизация Легирование в процессе эпитаксии Механизм роста эпитаксиального слоя ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ Оценка уровня легирования Другие материалы Функция модуляции передачи Технологические особенности Установка для выращивания монокристаллического кремния Импульсный метод Установка с групповой обработкой подложек «Эпи ЕТМ» Плазмохимическое осаждение Технологическое оборудование Свойст ва поликрс.мния МЕТАЛЛИЗАЦИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИС Дифракция Оптические резисты Оксидирование кремния в сухом и влажном кислороде Установка «Магна ТМ-200» Влияние ориентации на скорость Процесс переноса изображения Перспективы развития Нанесение ионным осаждением Оксидирование поликристаллического кремния Структура катода установки для ионно-плазменного нанесения Химические реакции Травление Керамические корпуса Отклонения размеров элементов топологии Маскирующие свойства SiC>2 Автоматизированное соединение на ленточном носителе Выводы Методы проведения диффузии Образование радиационных дефектов Теория роста кристалла Установка «Отжиг ТМ Рентгеновская литография Сборка методом перевернутого кристалла Реактивное ионно-плазменное и Процесс литографии Защита от коррозии и образования контактов Процесс осаждения оксида и нитрида кремния Оксид кремния Герметизация крышки корпуса Производства корпусов Нитрил кремния Радиационно-стимулированная диффузия Электронный кремний ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ ЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ Химическая кинетика и процесс массопереноса ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ Корпуса из пластмассы ПРОИЗВОДСТВО КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН Перераспределение легирующих примесей на границе раздела фаз Эпитаксия из парогазовой фазы Электронно-лучевая литография Пробеги ионов Корпуса на основе тугоплавкой керамики Дефекты, возникающие при оксидировании кремния Изохорный отжиг Ионно-плазменное нанесение Легирование поликремния Контроль толщины слоя Лазерно-имплантационный метод нанесения Оборудование Проекционная электронная литография ВЧ-диодные системы нанесения Плазменное травление Воспроизведение рельефа подложки Физические характеристики процесса Направленная кристаллизация Механическая обработка Оксидирование кремния при повышенном давлении Методы оптической литографии Триодные системы нанесения Выпаривание соединений Нанесение полимерных покрытий полимеризацией в плазме Установка «ИЗОТРОН ТМ» Измерение параметров эпитаксиальных структур Эффекты ионной имплантации Магнетронные системы нанесения Примеси и дефекты в монокристаллическом кремнии Свойства оксидных плёнок Установка молекулярно-лучевой эпитаксии Радикальное травление Соединение полимерным клеем Атомные механизмы диффузии Оксидирование поликремния Ионно-плазменное и ионно-лучевое травление НАНЕСЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОГАЗОВОЙ СМЕСИ Методы осаждения Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии Поликремний Контроль толщины покрытия Параметры процесса осаждения Нанесение ионным перемешиванием Толщина покрытия Температурная зависимость коэффициента диффузии Быстрый отжиг Тенденции развития методов сборки и герметизации Источники выпаривания СБОРКА И ГЕРМЕТИЗАЦИЯ Термические напряжения Выводы и перспективы развития Контроль профиля травления края элемента Свойства плёнок оксида кремния Диодные системы нанесении Шаблоны Методы оксидирования кремния ОКСИДИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ Характеристики имплантированных слоев Соединения проволокой Соединение эвтектикой Геттерирование Полирование Монтаж кристаллов Выводы и перспективы развития Методы плазменного травления Стоячие волны Модели диффузии Установка термического испарения «МВУ ТМ - ТИС» Обработка кремниевых пластин Оптическая литография (фотолитография)
 
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
ПОХОЖИЕ СТАТЬИ
 
Предметы
Агропромышленность
Банковское дело
БЖД
Бухучет и аудит
География
Документоведение
Журналистика
Инвестирование
Информатика
История
Культурология
Литература
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика, химия, физика
Медицина
Менеджмент
Строительство
Педагогика
Политология
Политэкономия
Право
Психология
Религиоведение
Риторика
Социология
Статистика
Страховое дело
Техника
Товароведение
Туризм
Философия
Финансы
Экология
Экономика
Этика и эстетика