Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Техника arrow ОСНОВЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

ОСНОВЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ


ПРОИЗВОДСТВО КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН Электронный кремний Выращивание монокристаллического кремния по методу Чохральского Монокристаллический кремний Направленная кристаллизация Теория роста кристалла Установка для выращивания монокристаллического кремния Примеси и дефекты в монокристаллическом кремнии Обработка кремниевых пластин Механическая обработка Травление Полирование Геттерирование Термические напряжения ОКСИДИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ Модель оксидирования кремния Рост тонкого слоя оксида Влияние ориентации на скорость Методы оксидирования кремния Подготовка подложек кремния Оксидирование кремния в сухом и влажном кислороде Оксидирование кремния при повышенном давлении Свойства оксидных плёнок Маскирующие свойства SiC>2 Заряд в SiCh Напряжение в SiC>2 Перераспределение легирующих примесей на границе раздела фаз Оксидирование поликристаллического кремния Дефекты, возникающие при оксидировании кремния Выводы и перспективы развития ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ Модели диффузии Одномерное уравнение диффузии Фика Постоянные коэффициенты диффузии Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии Температурная зависимость коэффициента диффузии Атомные механизмы диффузии Методы проведения диффузии Импульсный метод Радиационно-стимулированная диффузия Выводы и перспективы развития ЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ Процесс литографии Шаблоны Процесс переноса изображения Резисты Отклонения размеров элементов топологии Оптическая литография (фотолитография) Методы оптической литографии Оптические резисты Дифракция Функция модуляции передачи Стоячие волны Электронно-лучевая литография Проекционная электронная литография Рентгеновская литография СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ Методы плазменного травления Ионно-плазменное и ионно-лучевое травление Плазменное травление Радикальное травление Реактивное ионно-плазменное и Факторы, определяющие скорость и селективность травления Контроль профиля травления края элемента Побочные эффекты травления Выводы ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ Ионно-лучевые установки имплантации Характеристики имплантированных слоев Пробеги ионов Образование радиационных дефектов Отжиг легированных структур Изохорный отжиг Быстрый отжиг Геттерирование Эффекты ионной имплантации СБОРКА И ГЕРМЕТИЗАЦИЯ Монтаж кристаллов Соединение эвтектикой Соединение полимерным клеем Соединения проволокой Автоматизированное соединение на ленточном носителе Сборка методом перевернутого кристалла Производства корпусов Керамические корпуса Корпуса на основе тугоплавкой керамики Корпуса на основе тугоплавкой керамики с герметизацией стеклом Корпуса из пластмассы Герметизация Очистка поверхности кристалла Герметизация крышки корпуса Тенденции развития методов сборки и герметизации Силиконовые клеи-герметики Технологические особенности НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНЫМ ВЫПАРИВАНИЕМ Физические характеристики процесса Источники выпаривания Выпаривание соединений Толщина покрытия НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ Ионно-плазменное нанесение Структура катода установки для ионно-плазменного нанесения Диодные системы нанесении ВЧ-диодные системы нанесения Триодные системы нанесения Магнетронные системы нанесения Нанесение ионным осаждением Нанесение полимерных покрытий полимеризацией в плазме Нанесение ионным перемешиванием Лазерно-имплантационный метод нанесения Ионно-лучевые методы нанесения НАНЕСЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОГАЗОВОЙ СМЕСИ Процесс осаждения оксида и нитрида кремния Химические реакции Оборудование Безопасность Поликремний Легирование поликремния Оксидирование поликремния Свойст ва поликрс.мния Оксид кремния Методы осаждения Параметры процесса осаждения Воспроизведение рельефа подложки Свойства плёнок оксида кремния Нитрил кремния Свойства нитрида кремния Плазмохимическое осаждение Другие материалы Перспективы развития ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ Эпитаксия из парогазовой фазы Химическая кинетика и процесс массопереноса Легирование в процессе эпитаксии Технологическое оборудование Эпитаксиальные дефекты Механизм роста эпитаксиального слоя Молекулярно-лучевая эпитаксия Установка молекулярно-лучевой эпитаксии Измерение параметров эпитаксиальных структур Контроль толщины слоя Оценка уровня легирования МЕТАЛЛИЗАЦИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИС Методы осаждения Контроль толщины покрытия Трудности, возникающие при металлизации Защита от коррозии и образования контактов Установка «Отжиг ТМ Установка «ПЛАЗМА Ф Установка термического испарения «МВУ ТМ - ТИС» Установка «ИЗОФАЗ ТМ - 200» Установка «Магна ТМ-200» Установка «ИЗОТРОН ТМ» Установка с групповой обработкой подложек «Эпи ЕТМ»
 
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
ПОХОЖИЕ СТАТЬИ Следующая >
 
Предметы
Агропромышленность
Банковское дело
БЖД
Бухучет и аудит
География
Документоведение
Журналистика
Инвестирование
Информатика
История
Культурология
Литература
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика, химия, физика
Медицина
Менеджмент
Строительство
Педагогика
Политология
Политэкономия
Право
Психология
Религиоведение
Риторика
Социология
Статистика
Страховое дело
Техника
Товароведение
Туризм
Философия
Финансы
Экология
Экономика
Этика и эстетика